0.3 µm deep, anisotropic F RIE into Si
Plasmalab 80 Plus
RIE technology
Technology: Reactive Ion Etching 13.56 MHz Plasma Excitation Fluor based Process Parallel Plate Reactor Shower Head Gas Inlet
Results: Rate : > 25 nm/ min Uniformity: <= +/- 4.5 % (4") anisotropic etch smooth walls
(etch process: Uni Bochum, Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente deposition processes: Universität der Bundeswehr, Institut für Physik, Lehrstuhl für Mikrosystemtechnik left SEM published in J. of Material Science)
