Courtesy of the RWTH Aachen
Institut für Halbleitertechnik II:
Rate 110 nm/ min
Trilevel Resist Mask
Anisotropic, residue free etch
smooth walls
aspect ratio: 5 - 10

Courtesy of the Ruhr University Bochum
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente:

Signal from the Laser interferometer

Plasmalab System 100
with vacuum loadlock

Courtesy of the Ruhr University Bochum
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente:
Anisotropic F Etching into a
Si / SiGe / Si Heterostructure
Rate ca 100 nm / min
0.5 µm deep
photoresist mask removed