PECVD
with frequency mixing for stress control
---Other Technologies---
RIE (E)
RIE (D)
PE (E)
PE (D)
RIE/PE (E)
RIE/PE (D)
PECVD (E)
PECVD (D)
PECVD with frequency mix
PECVD mit Frequenzmischen
ICP - RIE (E)
ICP - RIE (D)
ICP - Remote RIE (E)
ICP - Remote RIE (D)
ICP - PECVD (E)
ICP - PECVD (D)
ICP - Remote PECVD (E)
ICP - Remote PECVD (D)
Sputtering (E)
Sputtern (D)
IBE-RIBE-CAIBE (E)
IBE-RIBE-CAIBE (D)
IBS-DIBS (E)
IBS-DIBS (D)
---old technologies---
Disadvantages of ECR
Nachteile von ECR
ECR - RIE (E)
ECR - RIE (D)
MWDS remote PECVD (E)
MWDS remote PECVD (D)
ECR - PECVD (E)
ECR - PECVD (D)
---Equipment---
Plasmalab 80 Plus (E)
Plasmalab 80 Plus (D)
Plasmalab 800 Plus (E)
Plasmalab 800 Plus (D)
Plasmalab System 100 (E)
Plasmalab System 100 (D)
System 100 cluster/ cass(E)
System 100 cluster/ cass(D)
Plasmalab System 133 (E)
Plasmalab System 133 (D)
typical process pressure: 300 - 1.200 mtorr
conformal deposition (good step coverage)
low substrate temperatures (typ. 250° C - 350° C)
excellent control over the film stochiometry
available as large batch system
PECVD system layout
Typical Application:
SiN free standing low stress membranes
substrate electrode on ground potential
heated substrate electrode: max 400° C or 700° C
top electrode RF driven MHz and kHz
shower head gas inlet (in the top electrode)
parameter: gas flows, pressure, RF power, LF power, RF/LF ratio
