Electrostatic Screen for ICP
	---Other Technologies--- RIE (E) RIE (D) PE (E) PE (D) RIE/PE (E) RIE/PE (D) PECVD (E) PECVD (D) PECVD with frequency mix PECVD mit Frequenzmischen ICP - RIE (E) ICP - RIE (D) ICP - Remote RIE (E) ICP - Remote RIE (D) ICP - PECVD (E) ICP - PECVD (D) ICP - Remote PECVD (E) ICP - Remote PECVD (D) Sputtering (E) Sputtern (D) IBE-RIBE-CAIBE (E) IBE-RIBE-CAIBE (D) IBS-DIBS (E) IBS-DIBS (D) ---old technologies--- Disadvantages of ECR Nachteile von ECR ECR - RIE (E) ECR - RIE (D) MWDS remote PECVD (E) MWDS remote PECVD (D) ECR - PECVD (E) ECR - PECVD (D)	---Equipment--- Plasmalab 80 Plus (E) Plasmalab 80 Plus (D) Plasmalab 800 Plus (E) Plasmalab 800 Plus (D) Plasmalab System 100 (E) Plasmalab System 100 (D) System 100 cluster/ cass(E) System 100 cluster/ cass(D) Plasmalab System 133 (E) Plasmalab System 133 (D) Ionfab 300 Plus (E) Ionfab 300 Plus (D) Ionfab 500 Plus (E) Ionfab 500 Plus (D)

"ICP Sources" without the Electrostatic Screen (ESS) have a strong capacitive coupling component leading to:

• increased wall sputtering (contamination on the wafer, decreased wall lifetime/ implosions)
• increased ion bombardment on the wafer (increased ion induced damage)
• possibility of generator "cross talking" (instable plasma)

OPTs ICP sources (ICP 65,  ICP 180,  ICP 380) are "true ICP sources" with (removable) ESS !